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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]显示面板及显示装置-CN202111643085.1在审
发明人：谢飞;周琦;吴春彦;谭兵 -专利权人：合肥维信诺科技有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种显示面板及显示装置，显示面板包括衬底，层叠设于所述衬底一侧的多层绝缘膜层，所述多层绝缘膜层中相邻设置的两层绝缘膜层包括外层绝缘膜层和内层绝缘膜层，所述外层绝缘膜层包括包覆所述内层绝缘膜层的至少部分侧面的外侧部该显示面板在内层绝缘膜层上沉积其他绝缘膜层的过程中，避免了沉积、显影工艺对内层绝缘膜层可能造成的损伤，该显示面板的外层绝缘膜层包覆于内层绝缘膜层的外侧对内层绝缘膜层起到保护作用，避免了内层绝缘膜层边缘与衬底剥离导致污染物侵入使得内层绝缘膜层内部的功能层功能失效的现象
显示面板显示装置

[实用新型]一种对接稳定的FFC传输线-CN201921086110.9有效
发明人：糜振根 -专利权人：嘉兴市航旗电器有限公司
申请日： 2019-07-11 - 公布日： 2020-02-28 - 主分类号： H01B7/17 文献下载
摘要：本实用新型涉及信号传输线的技术领域，它涉及一种对接稳定的FFC传输线，包括由复数根导线平行并排设置构成的导电层、置于导电层上下两侧的绝缘膜，所述导电层两端头分别延伸出绝缘膜的端部且裸露于绝缘膜外，导电层裸露于绝缘膜外的两端分别为未部和对接部，绝缘膜包括上绝缘膜层及下绝缘膜层，绝缘膜和导电层末部同端的部分上剥离下绝缘膜层构成导电层可见，该部分的上绝缘膜层贴设有补强板，绝缘膜和对接部同端的部分同时剥离上绝缘膜层和下绝缘膜层构成导电层镂空，对接部的端头上贴有保护膜
一种对接稳定 ffc 传输线

[发明专利]一种动力电池模组侧板绝缘的绝缘膜及其粘结结构-CN202211025007.X有效
发明人：顾良华 -专利权人：苏州恒悦新材料股份有限公司
申请日： 2022-08-25 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01M50/204 文献下载
摘要：本发明公开了一种动力电池模组侧板绝缘的绝缘膜及其粘结结构，包括绝缘膜层本体的内部左右两侧均开设有限制槽，限制槽的内部固定安装有贴合膜层，贴合膜层的一侧固定安装有横向膜层，绝缘膜层本体的内部左右两侧且位于贴合膜层内侧均固定安装有第一绝缘膜层，且第一绝缘膜层的内部一侧开设有插槽，本发明中贴合膜层上的横向膜层能够插至第一绝缘膜层的内部，且内包层外的凸片也插至第一绝缘膜层中，第一绝缘膜层和内包层可防止在绝缘膜层本体中分离和分层，绝缘膜层本体中膜层能稳定紧密的粘接，绝缘膜层本体中的压合膜和胶粘层呈矩形面粘接，连接紧密防止滑脱，复合树脂层和聚酯树脂层不会对环境造成污染，防水防污效果较好。
一种动力电池模组绝缘及其粘结结构

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201710662161.0在审
发明人：矶贝达典;野口将希 -专利权人：东芝存储器株式会社
申请日： 2017-08-04 - 公布日： 2018-10-09 - 主分类号： H01L29/792 文献下载
摘要：本发明的实施方式提供一种能够使针对成膜时可能产生的缺陷的对策得以优化的半导体装置及其制造方法。根据实施方式，半导体装置具备：积层体，由绝缘层与导电层交替地积层而成；阻挡绝缘膜，设置在绝缘层表面及导电层表面；电荷蓄积膜，设置在阻挡绝缘膜表面；隧道绝缘膜，具有设置在电荷蓄积膜表面的第1绝缘膜、设置在第1绝缘膜表面的第2绝缘膜、及设置在第2绝缘膜表面的第3绝缘膜；以及通道膜，设置在第3绝缘膜表面。至少在第1绝缘膜或第3绝缘膜中包含缺陷终止元素，且第1绝缘膜、第2绝缘膜及第3绝缘膜的缺陷终止元素含有浓度各不相同。
绝缘膜半导体装置绝缘膜表面阻挡绝缘膜电荷蓄积缺陷终止绝缘层导电层表面绝缘层表面隧道绝缘膜导电层积层体膜表面通道膜成膜制造优化

[发明专利]层间绝缘膜的制造方法和层间绝缘膜-CN202111338423.0在审
发明人：樋口伦也;西村飒太;桥本壮一;荒井贵 -专利权人：互应化学工业株式会社
申请日： 2021-11-12 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种层间绝缘膜的制造方法，其能够制造镀铜密合性优异的层间绝缘膜。层间绝缘膜的制造方法具备被膜形成工序、曝光工序和热固化工序。在上述被膜形成工序中，形成感光性组合物的被膜，该感光性组合物含有(A)含羧基树脂、(B)光聚合引发剂、(C)光聚合性化合物以及(D)环氧树脂。在上述曝光工序中，以3mW/cm2～300mW/cm2的照度对上述被膜曝光320nm～390nm的波长的紫外线。在上述热固化工序中，使上述曝光工序后的被膜在140℃以上的温度进行热固化。
绝缘制造方法

[发明专利]层叠构造体、薄膜晶体管阵列以及它们的制造方法-CN201380050481.0有效
发明人：石崎守;八田薰 -专利权人：凸版印刷株式会社
申请日： 2013-08-29 - 公布日： 2018-01-19 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：层叠构造体在绝缘基板上具有第1电极层，在第1电极层上具有第1绝缘膜，在第1绝缘膜上具有第2电极层，在第2电极层上具有第2绝缘膜，在第2绝缘膜上具有第3电极层，该层叠构造体通过第1电极层、第1绝缘膜的开口、第2电极层、第2绝缘膜的开口以及第3电极层的层叠构造，使所述第1电极层和第2电极层进行连接通过第1电极层、第1绝缘膜的开口、第2电极层、第2绝缘膜的开口以及第3电极层的层叠构造，使所述第1电极层和第2电极层进行连接，在第2绝缘膜的开口内，第3电极层对第1电极层、与第1绝缘膜上的第2电极层的连接进行中继或加强。
层叠构造薄膜晶体管阵列以及它们制造方法

[实用新型]用于电润湿显示装置的薄膜晶体管-CN200920205537.6无效
发明人：商陆平;朱泽力;李绍宗 -专利权人：深圳莱宝高科技股份有限公司
申请日： 2009-09-30 - 公布日： 2010-08-18 - 主分类号： G02B26/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于电润湿显示装置的薄膜晶体管，包括基板、底部导电膜层、第一绝缘膜层、半导体非晶硅膜层、第二导电膜层、第二绝缘层、第四导电膜层及有机流平膜层；底部导电膜层设在基板上；第一绝缘膜层覆盖在底部导电膜层上方；半导体非晶硅膜层覆盖在第一绝缘膜层上；第二导电膜层部分覆盖在半导体非晶硅膜层上，第二层绝缘膜层覆盖在第一绝缘膜层、半导体非晶硅膜层、第二导电膜层的上方；有机流平膜层覆盖在第二绝缘层上；第四导电膜层覆盖在有机流平膜层上与现有技术比较，其有益效果是：有机流平膜层的增加，提高反应速度；漏极和公共电极都通过导电膜层连接到同一平面，使反应速度加快；提高产品开口率。
用于润湿显示装置薄膜晶体管

[发明专利]存储装置-CN201810046665.4在审
发明人：石川贵之;岡嶋睦;塚本隆之 -专利权人：东芝存储器株式会社
申请日： 2018-01-17 - 公布日： 2019-03-26 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：实施方式的存储装置具备：第1层间绝缘膜，在第1方向伸长；第2层间绝缘膜，在第1方向伸长；第1导电层，在第1方向伸长且设置在第1层间绝缘膜与第2层间绝缘膜之间；第2导电层，在与第1方向交叉的第2方向伸长；可变电阻层，具有第1部分及第2部分，第1部分设置在第1层间绝缘膜与第2层间绝缘膜之间，第2部分设置在第2导电层与第1层间绝缘膜、第1导电层及第2层间绝缘膜之间；以及侧壁绝缘膜，设置在第1部分与第1层间绝缘膜之间及第1部分与第2层间绝缘膜之间。
层间绝缘膜导电层伸长存储装置侧壁绝缘膜可变电阻层方向交叉写入

[发明专利]半导体器件和用于制造其的方法-CN202310148424.1在审
发明人：安商熏;吴暻锡;李承宪;林俊赫 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-02-14 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：该半导体器件可以包括其中包含多个孔隙的第一层间绝缘膜、在第一层间绝缘膜中的第一线结构、沿着第一层间绝缘膜的上表面且在第一层间绝缘膜的上表面上延伸并且与第一层间绝缘膜接触的插入绝缘膜、与插入绝缘膜接触并沿着插入绝缘膜的上表面和第一线结构的上表面延伸的阻挡绝缘膜、在阻挡绝缘膜上的第二层间绝缘膜、以及设置在第二层间绝缘膜中并连接到第一线结构的第二线结构。
半导体器件用于制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200510107113.2有效
发明人：和泉宇俊 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2005-09-28 - 公布日： 2006-12-13 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：本发明提供一种具有以氢扩散阻挡膜覆盖的层间绝缘膜的半导体器件及其制造方法。在半导体衬底上形成由绝缘材料制成的层间绝缘膜。在层间绝缘膜上形成氢扩散阻挡膜，该氢扩散阻挡膜由氢扩散阻挡能力高于层间绝缘膜材料的材料制成。对形成有层间绝缘膜和氢扩散阻挡膜的半导体衬底进行热处理。在形成层间绝缘膜的过程中，在水分含量等于或小于5×10^－3g/cm³的条件下形成层间绝缘膜。即使在形成氢扩散阻挡膜之后进行退火处理，也难以在下面的层间绝缘膜中形成裂缝。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN200810149007.4有效
发明人：和泉宇俊 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2005-09-28 - 公布日： 2009-03-18 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种具有以氢扩散阻挡膜覆盖的层间绝缘膜的半导体器件的制造方法。在半导体衬底上形成由绝缘材料制成的层间绝缘膜。在层间绝缘膜上形成氢扩散阻挡膜，该氢扩散阻挡膜由氢扩散阻挡能力高于层间绝缘膜材料的材料制成。对形成有层间绝缘膜和氢扩散阻挡膜的半导体衬底进行热处理。在形成层间绝缘膜的过程中，在水分含量等于或小于5×10^-3g/cm³的条件下形成层间绝缘膜。即使在形成氢扩散阻挡膜之后进行退火处理，也难以在下面的层间绝缘膜中形成裂缝。
半导体器件制造方法

[实用新型]一种自限温加热膜-CN202122679204.0有效
发明人：袁建波 -专利权人：浙江大铭新材料股份有限公司
申请日： 2021-10-31 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H05B3/02 文献下载
摘要：本发明提供一种自限温加热膜，由导线、金属电极、PTC膜层以及绝缘层构成，所述金属电极为插指状附着在所述PTC膜层上，所述绝缘层贴覆在所述电极和PTC膜层外侧，所述电极一侧的绝缘膜层为第一绝缘膜层，所述PTC膜层一侧的绝缘膜层为第二绝缘膜层；所述导线与电极联结，用于引出电性；所述PTC膜层为导电阻燃膜层，PTC转变温度60～100℃；所述电极上均匀蚀刻有孔洞，所述孔洞的等效直径为500～1000μm。
一种加热

[发明专利]半导体装置-CN202010692943.0在审
发明人：岛行德;大野正胜;重信匠 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2020-07-17 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：半导体装置包括第一绝缘层、第二绝缘层、半导体层以及第一导电层。半导体层、第二绝缘层以及第一导电层依次层叠在第一绝缘层上。第一绝缘层具有依次层叠有第一绝缘膜、第二绝缘膜以及第三绝缘膜的叠层结构。第二绝缘层包含氧化物。第三绝缘膜具有接触于半导体层的部分。第一绝缘膜包含硅及氮。第二绝缘膜包含硅、氮及氧。第三绝缘膜包含硅及氧。半导体层包含铟及氧。
半导体装置

[实用新型]绝缘膜组件及电池装置-CN202220937559.7有效
发明人：王留杰;王亚威;刘炯;李金成 -专利权人：中创新航科技股份有限公司
申请日： 2022-04-21 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：本公开涉及电池技术领域，具体是关于一种绝缘膜组件及电池装置，所述绝缘膜组件包括：绝缘膜层和导电层，所述导电层包括电路板，所述电路板设于所述绝缘膜层，所述导电层设于所述绝缘膜层，在所述绝缘膜层上的第一区域的两侧分别设置有第一防裂槽，所述第一区域为所述电路板在所述绝缘膜层上的正投影区域，所述第一防裂槽从所述绝缘膜层靠近电路板插接口的端部向所述绝缘膜层的内部延伸，所述第一防裂槽用于防止所述绝缘膜撕裂所述电路板，能够提高电池装置的良品率
绝缘组件电池装置

[发明专利]层间绝缘用树脂膜、带粘接辅助层的层间绝缘用树脂膜以及印刷布线板-CN201680019273.8在审
发明人：笠原彩;水野康之;村井曜 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2016-02-10 - 公布日： 2017-12-01 - 主分类号： H05K3/46 文献下载
摘要：本发明提供能够获得在加速环境试验后与电路基板的粘接性也优良、且低热膨胀性、耐热性以及介质特性优良的层间绝缘层的层间绝缘用树脂膜、带粘接辅助层的层间绝缘用树脂膜以及用该层间绝缘用树脂膜或带粘接辅助层的层间绝缘用树脂膜形成的印刷布线板具体而言，提供含有环氧树脂(A)、氰酸酯树脂(B)以及双氰胺(C)的层间绝缘用树脂膜；在该层间绝缘用树脂膜的一面上设置粘接辅助层而得的带粘接辅助层的层间绝缘用树脂膜，该粘接辅助层含有环氧树脂(a)、氰酸酯树脂(b)以及无机填充材料(c)；用该层间绝缘用树脂膜或带粘接辅助层的层间绝缘用树脂膜形成的印刷布线板。
绝缘树脂带粘接辅助以及印刷布线

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